N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 100V, 0.044 Ohms, TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 33A. Leistung: 130W

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 100V, 33A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF540N. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1960pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 130W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1400pF. Kosten): 330pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRF540NSPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F540NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1960pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 130W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F540NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1960pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 130W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 100V, 28A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 28A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF540PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 17A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 53 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 25A, 36A, 250uA, 21 milliOhms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 21 milliOhms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1770pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, <0,021 Ohm. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 140A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 92W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 10A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 36W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. IDSS (max): 3.3A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.16 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: VGS @10V. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 3.3A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF610PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 11 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 140pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 260pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 18A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 5.2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF620PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 260pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 9A, 50, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 50. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF630. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 540pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 9A, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 36A. Pd (Verlustleistung, max): 72W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: N-Channel MOSFET

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 9A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF630N. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 27 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 575pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 74W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 9A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF630PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 74W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 770pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 74W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 4.2 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. IDSS (max): 8.1A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.348 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 250V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS

N-Kanal-Transistor, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1300pF. Kosten): 430pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1160pF. Kosten): 185pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 167 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 18A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF640NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F640NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 200V, 0.18 Ohms, TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 200V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 18A. Leistung: 125W

N-Kanal-Transistor, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 1300pF. Kosten): 330pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 56A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 4.5A, 5.7A, 5.7A, 0.028 Ohms, 100V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS (max): 5.7A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: td(on) 9.2ns, td(off) 18ns. Id(imp): 45A. Hinweis: isometrisch. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Technologie: DirectFET POWER MOSFET