Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640N

N-Kanal-Transistor, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640N
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N-Kanal-Transistor, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF640N. N-Kanal-Transistor, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1160pF. Kosten): 185pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 167 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 22:25.

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