N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Gehäuse: TO-3P( N )IS. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Funktion: Hochleistungsschaltanwendungen. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 37A. Ic(Impuls): 100A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.51 ns. Td(on): 0.33 ns. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 25V

N-Kanal-Transistor, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 35A. Ic(Impuls): 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 10N120BND. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 298W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 165 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: IGBT-Transistor der NPT-Serie mit antiparalleler hyperschneller Diode. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.45V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.8V

N-Kanal-Transistor, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V. Gehäuse: TO-247. Ic(T=100°C): 23A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. RoHS: ja. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Germaniumdiode: NINCS. Produktionsdatum: 2014/17. Kollektorstrom: 54A. Ic(Impuls): 96A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 12N60A4D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 96 ns. Td(on): 17 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.6V

N-Kanal-Transistor, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Funktion: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 24A. Ic(Impuls): 96A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G12N60C3D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 104W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 270 ns. Td(on): 14 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Funktion: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 160A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G20N60B3D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 165W. RoHS: ja. Spec info: Typische Abfallzeit 140 ns bei 150 °C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V

N-Kanal-Transistor, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: SMPS Series IGBT. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 240A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G30N60A4. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 463W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V

N-Kanal-Transistor, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Gehäuse: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. RoHS: ja. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Funktion: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 240A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 30N60A4D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 463W. Spec info: 463W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V

N-Kanal-Transistor, 63A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 63A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 300A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 40N60A4. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 625W. RoHS: ja. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 145 ns. Td(on): 25 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V

N-Kanal-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 25A. Ic(Impuls): 40A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5N120BND. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 182 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: IGBT-Transistor der NPT-Serie mit antiparalleler hyperschneller Diode. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.45V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.8V

N-Kanal-Transistor, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 250pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75307D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-252AA ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 250pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75307D. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 75A, 250uA, 6.5m Ohms, TO-247, TO-247, 55V. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 6.5m Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3200pF. Kosten): 1170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 105 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75344 G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 285W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3200pF. Kosten): 1170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 105 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75344 P. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 285W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0115 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 3790pF. Kosten): 810pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 145 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UltraFET Power MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 430A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75645 P. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AB ), 100V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0115 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-252AB ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 3790pF. Kosten): 810pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 145 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UltraFET Power MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 430A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75645 S. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.017 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-252AA ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 850pF. Kosten): 465pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 58 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 76121D. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 45 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 30 v, 75A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: HUF76145P3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 110 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 135 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4900pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 270W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, Andere, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 15A. Hinweis: Dreiphasen-Wechselstrommotortreiber. Frequenz: 20kHz. Anzahl der Terminals: 24. Pd (Verlustleistung, max): 29W. RoHS: ja. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 750 ns. Td(on): 600 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Betriebstemperatur: -40...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V

N-Kanal-Transistor, Andere, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 20A. Hinweis: Dreiphasen-Wechselstrommotortreiber. Frequenz: 20kHz. Anzahl der Terminals: 24. Pd (Verlustleistung, max): 29W. RoHS: ja. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 650 ns. Td(on): 970 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Betriebstemperatur: -40...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V

N-Kanal-Transistor, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 4620pF. Kosten): 240pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Sehr niedrige VCEsat. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 140A. Ic(Impuls): 225A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G75H603. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 428W. RoHS: ja. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Lieferzeit: KB. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 265 ns. Td(on): 31 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.25V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V

N-Kanal-Transistor, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 1165pF. Kosten): 40pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: Induktives Kochen. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): 45A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H15R1203. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 254W. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 300 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.48V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V

N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO247-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 1340pF. Kosten): 43pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Funktion: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20MR5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 288W. RoHS: ja. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 350 ns. Td(on): 260 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.55V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V

N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1350V. C(in): 1500pF. Kosten): 55pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: Inductive?cooking. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20R1353. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 405 ns. Td(on): 335 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V

N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO247-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1350V. C(in): 1360pF. Kosten): 43pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Funktion: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20PR5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 288W. RoHS: ja. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 235 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V

N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 1460pF. Kosten): 78pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: Soft Switching Applications. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20T120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 178W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V