Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF530N

N-Kanal-Transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF530N
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N-Kanal-Transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF530N. N-Kanal-Transistor, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 920pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 93 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 60A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 9.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 22:25.

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