Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF830APBF

N-Kanal-Transistor, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF830APBF
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N-Kanal-Transistor, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF830APBF. N-Kanal-Transistor, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 620 ns. Kosten): 93 ns. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 430 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 20A. IDss (min): 25uA. Temperatur: +105°C. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Bestandsmenge aktualisiert am 23/04/2025, 04:25.

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