N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=100°C): 0.71A. ID (T=25°C): 1A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 180pF. Kosten): 81pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 8A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, DIP4, 100V, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD110PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.9ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 180pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 360pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 10A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 18 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, DIP4, 100V, 1.3A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD120PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 0.78A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 18 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 360pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 360pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 10A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 18 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 0.38A, 0.6A, 250uA, 1.5 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. ID (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.6A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 4.8A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, HD-1, 200V, 0.8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: HD-1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD220PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 0.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 260pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, ITO-220AB, 55V, 64A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI3205PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 34A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 63W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 7.2A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 FULLPAK. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 360pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 29A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 37W. Td(off): 19 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor der dritten Generation. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, ITO-220AB, 100V, 7.2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI520GPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 4.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 360pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 37W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, ITO-220AB, 100V, 9.7A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI530GPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 5.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 670pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 42W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, ITO-220AB, 100V, 17A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI540GPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 53 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 14A, 20A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 FULLPAK. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1400pF. Kosten): 330pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 54W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 800pF. Kosten): 240pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 36A. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFI630G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 9.4 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, ITO-220AB, 200V, 5.9A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI630GPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 32W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, ITO-220AB, 200V, 9.8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI640GPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 3.6A, 5.7A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 400V. C(in): 1100pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 380 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low Gate Charge. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 23A. IDss (min): 25uA. Hinweis: Viso 2500V. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, ITO-220AB, 400V, 5.4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI740G. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 3.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 54 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1370pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: Diode. Id(imp): 18A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 1300pF. Kosten): 200pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 340 ns

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, ITO-220AB, 500V, 4.6A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI840GPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 2.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4.4 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 350pF. Kosten): 48pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 290ms. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 6A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 1.5A, 2.5A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 660pF. Kosten): 86pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Switching. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 10A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 2.2A, 3.5A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1300pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 470ms. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 14A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, ITO-220AB, 900V, 1.9A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFIBF30GPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 22A, 31A, 31A, 0.024 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 55V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 31A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.024 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 55V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET