N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 22A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 3450pF. Kosten): 513pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 88A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 277W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 47 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1300pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) IRFP9240. Gewicht: 4.6g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 200V, 20A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP240PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 2159pF. Kosten): 315pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 186 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 214W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 200V, 30A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP250NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2159pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 214W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 200V, 30A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP250PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 250V, 23A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP254PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 74 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 4057pF. Kosten): 603pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 268 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: dynamisches dv/dt-Verhältnis, schnelle Umschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 200A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Gewicht: 5.57g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 200V, 50A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP260NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4057pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 200V, 46A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 46A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP260PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 280W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 24A, 38A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 38A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 5400pF. Kosten): 870pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 410 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: schnelles Umschalten, dynamisches dv/dt. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 150A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 4660pF. Kosten): 460pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 620 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 110A. IDss (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 500W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. ID (T=100°C): 148A. ID (T=25°C): 209A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6m Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 75V. C(in): 13000pF. Kosten): 2100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 870A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 470W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 75V, 90A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP2907PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 125A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 13000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 470W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 75V, 90A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP2907ZPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 90A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 19 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 97 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 7500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 310W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 190A, 270A, 250uA, 2.1M Ohms, TO-247, TO-247AC. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.1M Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. C(in): 8970pF. Kosten): 1020pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 1080A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 375W. RoHS: ja. Gewicht: 4.58g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 2mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 5000pF. Kosten): 553pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 124A. IDss (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 460W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4M Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 6540pF. Kosten): 720pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 840A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 150V, 43A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 150V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 43A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP3415PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 72 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 400V. C(in): 2600pF. Kosten): 660pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 87 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET-Leistungs-MOSFET. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 400V, 19A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 19A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP350PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 87 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 400V. C(in): 4500pF. Kosten): 1100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 420 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 92A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 400V. C(in): 3400pF. Kosten): 540pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 91A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 400V, 23A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP360PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 18 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 280W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.026 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 3000pF. Kosten): 640pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 210 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V