N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.87 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 950pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 900ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 24A. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: TT-MOSV. Betriebstemperatur: -...+150°. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 15A, 25A, 10uA, 0.045 Ohms, TO-220FP, TO–220FM, 60V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.045 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO–220FM. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 740pF. Kosten): 380pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 10A, 10A, 1.05 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.05 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 2150pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: DC-DC-Wandler, Relais und Motorantrieb. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 12.5A, 25A, 10uA, 0.028 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 790pF. Kosten): 240pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 75A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89 ( MTP3 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 160pF. Kosten): 85pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: KE. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 120ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MOS FET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.8V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code KE. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.6 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 550pF. Kosten): 115pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 1.3us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 16A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: POWER-Schalt-MOSFET, industrielle Verwendung. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 38m Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 5400pF. Kosten): 1900pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 190 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Feldeffekttransistor MOS-V. Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schaltmodusregler, DC-DC-Wandler, Motortreiber. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F-3L. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 650pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 2us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 20A. IDss (min): 0.1uA. Äquivalente: FS5KM-10-AW. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: V-MOS (F). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 7A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.62 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 28A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SILICON POWER MOS-FET. Menge pro Karton: 1. Funktion: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power

N-Kanal-Transistor, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.58 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1200pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 0.75us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 40A. IDss (min): 25uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Panasonic--B1CERR000022. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). ID (T=25°C): 21A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Spannung Vds(max): 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C(in): 2280pF. Kosten): 290pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 0.7us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 84A. IDss (min): 25uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 78 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.46 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 740pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 2.3 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 28A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 1050pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 32A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3561. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 38 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. IDSS: 100uA. IDSS (max): 6A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1050pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3562. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. IDSS: 100uA. IDSS (max): 5A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.35 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 550pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3563. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 3A, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.7 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 700pF. Kosten): 75pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 850 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 9A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3564. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 125 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 1150pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 900ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3565. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 170 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5.6 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 470pF. Kosten): 50pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 720 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 7.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3566. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS: 100mA. IDSS (max): 3.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.7 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 14A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3567. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 1500pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 48A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3568. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 170 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-67, 2-10U1B. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1500pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 40A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3569. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Gewicht: 1.7g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 180 ns. Td(on): 50 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (TT-MOSVI). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92. IDSS: 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.7 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. C(in): 700pF. Kosten): 75pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 850 ns. Transistortyp: MOSFET. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 125 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 7.5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3667. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.22 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 1100pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 3.2us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3679. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 95W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 3.7A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.31 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 430pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 14.8A. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3699. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 43W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 32 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Super FAP-G Series. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS