N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 18M Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 20V. C(in): 1160pF. Kosten): 187pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 17.7 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 51.7 ns. Td(on): 6.2 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: ESD-geschützt. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0047 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 6060pF. Kosten): 638pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 33.5 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 51.5 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Spec info: Extrem niedriger Gate-Widerstand. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12.7A. IDSS (max): 20mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0098 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1980pF. Kosten): 317pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 11.2 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. IDss (min): 0.02mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 27 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Menge pro Karton: 1. Funktion: FET in SMPS, Lastschaltung. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 20A. IDSS: 0.1mA. IDSS (max): 20mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0039 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 3760pF. Kosten): 682pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 18 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. IDss (min): 0.1mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 34 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 20mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0058 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 2154pF. Kosten): 474pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 12 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 180A. IDss (min): 0.1mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25.2 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V. Menge pro Karton: 1. Funktion: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO, SO-8, 60V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 46m Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 27.5us. Funktion: MOSFET-Transistor, Rds (ON) sehr niedrig. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 4.7V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 2

N-Kanal-Transistor, 18A, 18A, 5uA, 13.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 13.6m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1040pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 19 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 40A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D408. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 17.4 ns. Td(on): 4.5 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) AOD405. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 47m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 450pF. Kosten): 61pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 27.6 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 16 ns. Td(on): 4.2 ns. Technologie: „Neueste Trench Power MOSFET-Technologie“. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 54A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 6m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 951pF. Kosten): 373pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Trr-Diode (Min.): 10.2 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Id(imp): 96A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 18.5 ns. Td(on): 6.25 ns. Technologie: „Neueste Trench Power MOSFET-Technologie“. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.8V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: Sehr niedriger RDS(on) bei 10VGS. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 3.9A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 400V. Kosten): 16pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 172ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 15A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 52W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 18 ns. Td(on): 17 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. C(in): 273pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 500V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.71 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 962pF. Kosten): 98pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 332ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 27A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 178W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 24 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5.3m Ohms. Gehäuse: PowerPAK SO-8. Gehäuse (laut Datenblatt): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 2850pF. Kosten): 258pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 19 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 170A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Menge pro Karton: 1. Funktion: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9m Ohms. Gehäuse: PowerPAK SO-8. Gehäuse (laut Datenblatt): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 3430pF. Kosten): 1327pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 22 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 340A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 33.8 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: „Neueste Trench Power AlphaMOS-Technologie“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 46A. IDSS (max): 5uA. Einschaltwiderstand Rds On: 7.7m Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 1100pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 19 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(imp): 110A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AOY2610E. Pd (Verlustleistung, max): 59.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 22 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: Trench Power AlphaSGTTM technology. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.4V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 25m Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 655pF. Kosten): 145pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 95A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 40T03 GP. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 25m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 655pF. Kosten): 145pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 95A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 40T03 GP. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 mS. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 25m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 655pF. Kosten): 145pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 95A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 40T03GS. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. IDSS: 10uA. IDSS (max): 10.4A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 450pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 40A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4800C G M. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 17 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Funktion: Schnell schaltender DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 48A. ID (T=25°C): 48A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 48m Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 300V. C(in): 8440pF. Kosten): 1775pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 160A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 88N30W. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 312W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 32A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 1170pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, Wechselrichter, Netzteile. Id(imp): 150A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 9962GH. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 27.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 8 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, DIP, DIP-8. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Kanaltyp: N. Funktion: MOS-N-FET. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.050R (50m Ohms)

N-Kanal-Transistor, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 1700pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, Wechselrichter, Netzteile. Id(imp): 90A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 9971GH. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 39W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220CFM. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 1700pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NO. Id(imp): 80A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 4A, 7A, 0.050R (50m Ohms), SO, SO-8, 60V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 7A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.050R (50m Ohms). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 2. Id(imp): 28A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 9971GM. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 4W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Funktion: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns

N-Kanal-Transistor, 4A, 4A, SOT-89, SOT-89, 20V. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Spannung Vds(max): 20V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: td(on) 12ns. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Anreicherungsmodus-MOSFET“