N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT-227 ). Spannung Vds(max): 500V. C(in): 7400pF. Kosten): 1000pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 620 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: schnelles Schalten, geringe Leckage. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 176A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 450W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSV. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v

N-Kanal-Transistor, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 2600pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: schnelles Schalten, geringe Leckage. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 48A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 260W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSV. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-343, 5V, 0.1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-343. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: 5Fx. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 0.37V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.27W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor. Menge pro Karton: 1. Hinweis: TU

N-Kanal-Transistor, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 15mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 4pF. Kosten): 1.6pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. Funktion: HF-VHF. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekttransistor. Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 3.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1.6V

N-Kanal-Transistor, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 25mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 4pF. Kosten): 1.6pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. Funktion: HF-VHF. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekttransistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 7.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.2V

N-Kanal-Transistor, 80mA, TO-92, TO-92, 39V. IDSS (max): 80mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 39V. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: AM/FM/VHF. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 30mA. IGF: 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 14.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.6V

N-Kanal-Transistor, 13mA, TO-92, TO-92, 30 v. IDSS (max): 13mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: für VHF/UHF-HF-Verstärker. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 0.5V

N-Kanal-Transistor, 18mA, TO-92, TO-92, 30 v. IDSS (max): 18mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: für VHF/UHF-HF-Verstärker. IDss (min): 11mA. IGF: 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 0.5V

N-Kanal-Transistor, 25mA, 6.5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 6.5mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1.7pF. Kosten): 0.8pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. Funktion: HF-VHF. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20*. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 2mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Feldeffekttransistor mit Siliziumübergang. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.2V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.4V

N-Kanal-Transistor, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 15mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1.7pF. Kosten): 0.8pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. Funktion: HF-VHF. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 21*. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 6mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Feldeffekttransistor mit Siliziumübergang. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 3.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1.6V

N-Kanal-Transistor, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 25mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1.7pF. Kosten): 0.8pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. Funktion: HF-VHF. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 22*. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 12mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Feldeffekttransistor mit Siliziumübergang. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 7.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.2V

N-Kanal-Transistor, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V. ID (T=25°C): 30mA. IDSS (max): 18mA. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. Spannung Vds(max): 18V. C(in): 3pF. Kosten): 1.2pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: VHF- und UHF-Anwendungen mit 12V Versorgungsspannung. G-S-Schutz: ja. IDss (min): 2mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: M90. Anzahl der Terminals: 4. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET

N-Kanal-Transistor, 30mA, 4mA, SOT-143, SOT-143, 20V. ID (T=25°C): 30mA. IDSS (max): 4mA. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. Spannung Vds(max): 20V. C(in): 2.3pF. Kosten): 0.8pF. Menge pro Karton: 1. Funktion: N-MOSFET-Transistor. IDss (min): 2mA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code MH. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MH. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

N-Kanal-Transistor, 30mA, 15mA, SOT-143, SOT-143, 12V. ID (T=25°C): 30mA. IDSS (max): 15mA. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. Spannung Vds(max): 12V. C(in): 2.1pF. Kosten): 1.1pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: VHF- und UHF-Anwendungen mit 12V Versorgungsspannung. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 5mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MOS. Anzahl der Terminals: 4. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Betriebstemperatur: -55...+150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-143B, 12V, 30mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-143B. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: BF998. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2.5pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 25V, 5mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 25V. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: 5mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: N-Kanal-JFET-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: M2. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 120mA. IDSS (max): 30nA. Einschaltwiderstand Rds On: 15 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 85pF. Kosten): 20pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Dioden-Tff (25 °C): 8 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BS107. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 250mA, 30nA, 6.4 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 250mA. IDSS (max): 30nA. Einschaltwiderstand Rds On: 6.4 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 60pF. Kosten): 30pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 500mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: (D-S) MOSFETs. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, TO-92, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, 60V. Gehäuse: TO-92. ID (T=25°C): 0.5A. IDSS (max): 10nA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. C(in): 24pF. Kosten): 40pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 1.2A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BS170. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Feldeffekttransistor, Kleine Signale. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 60V, 0.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BS170G. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 60pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 60V, 0.3A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BS170_D27Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 24pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.83W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, Andere, Andere, 600V. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 30A. Anzahl der Terminals: 24. Abmessungen: 107.5x45x17mm. Pd (Verlustleistung, max): 700W. RoHS: ja. Spec info: 7x IGBT. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 250 ns. Td(on): 50 ns. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V

N-Kanal-Transistor, 0.1A, 0.1A, 15 Ohms, 50V. ID (T=25°C): 0.1A. IDSS (max): 0.1A. Einschaltwiderstand Rds On: 15 Ohms. Spannung Vds(max): 50V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Hinweis: 5ns...20ns. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Technologie: D-MOS Log.L

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.173A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSN20. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 25pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.83W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C