N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, Andere, Andere, 600V. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 30A. Abmessungen: 107.5x45x17mm. Pd (Verlustleistung, max): 700W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 250 ns. Td(on): 50 ns. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Anzahl der Terminals: 24. Spec info: 7x IGBT. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 0.1A, 0.1A, 15 Ohms, 50V. ID (T=25°C): 0.1A. IDSS (max): 0.1A. Einschaltwiderstand Rds On: 15 Ohms. Spannung Vds(max): 50V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Hinweis: 5ns...20ns. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Technologie: D-MOS Log.L

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.173A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSN20. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 25pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.83W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 100nA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 250pF. Kosten): 88pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 69 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 24A. IDss (min): 10nA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 8.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21 ns. Td(on): 6 ns. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 600V, 0.12A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.12A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP125. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 130pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 600V, 0.1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP135. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.1V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.1 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 146pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 60V, 1.8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP295. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.8V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.1 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 368pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 200V, 0.6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP297. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.8V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 160 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 240V, 0.35A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.35A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP89. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.8V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 140pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=25°C): 150mA. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 23pF. Kosten): 6pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Siebdruck/SMD-Code SA. Id(imp): 600mA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Äquivalente: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 100V, 0.19A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.19A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SAs . Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.8V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 11 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 20.9pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 100V, 0.17A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SA. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 40pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=25°C): 170mA. IDSS (max): 46.4k Ohms. Einschaltwiderstand Rds On: 6 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 20pF. Kosten): 9pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Siebdruck/SMD-Code SA. Id(imp): 680mA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Äquivalente: BSS123-7-F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Modus zur Verbesserung des Feldeffekttransistor-Logikpegels. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SA. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.6V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 20pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 600V, 0.021A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.021A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SHS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.7V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 28pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 240V, 0.1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SRs. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.8V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 77pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 0.22A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.7 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 50V. C(in): 27pF. Kosten): 13pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 0.88A. IDss (min): 0.5uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SS. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 2.5 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 0.2A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.4 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 50V. C(in): 50pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1A. IDss (min): 0.5uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SS. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Gewicht: 0.008g. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V. Spec info: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 50V, 200mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 200mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 36ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 27pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: J1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 50pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236AB, 250V, 0.03A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.03A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: STs. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 76pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 55V, 0.54A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.54A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.6V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 31 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 75pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 0.25A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. ID (T=25°C): 0.25A. IDSS (max): 1000uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 240V. C(in): 80pF. Kosten): 15pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1A. IDss (min): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS88. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: Erweiterungsmodus . Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.6V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. ID (T=25°C): 0.19A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT54. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 25pF. Kosten): 8.5pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 0.8A. IDss (min): 0.01uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Very fast switching, Logic level compatible. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 25pF. Kosten): 8.5pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr schnelles Umschalten. Id(imp): 0.8A. IDss (min): 0.01uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor . Betriebstemperatur: -65...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Logic Level kompatibel. G-S-Schutz: NINCS