N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 100V, 34A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUZ22. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 300 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1850pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 2.6A, 2.6A, 1000V. ID (T=25°C): 2.6A. IDSS (max): 2.6A. Spannung Vds(max): 1000V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 78W. Technologie: V-MOS L. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 330pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 7A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUZ73LH. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 840pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 2.4A. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Spannung Vds(max): 500V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Technologie: V-MOS. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 2A, 3A, 3A, 1.8 Ohms, 400V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 3A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.8 Ohms. Spannung Vds(max): 400V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Technologie: V-MOS. Hinweis: <57/115ns. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 400V, 2.7A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUZ76A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 650pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 1.7A, 2.7A, 2.7A, 4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.7A. IDSS (max): 2.7A. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: <50/105ns. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 460pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 350 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. IDss (min): 0.1uA. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Td(off): 50 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: V-MOS. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. IDSS (max): 2.1A. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Technologie: V-MOS (F). Hinweis: <100/220ns. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 3.2A, 3.2A, 800V. ID (T=25°C): 3.2A. IDSS (max): 3.2A. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: V-MOS. Pd (Verlustleistung, max): 78W. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 2.8A, 4.5A, 4.5A, 1.6 Ohms, 600V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 4.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.6 Ohms. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Technologie: V-MOS. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, 600V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Technologie: TO-220F. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 32A. IDss (min): 0.1uA. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Technologie: V-MOS

N-Kanal-Transistor, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. IDSS (max): 52A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 156A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Field Effect Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, 200A, Andere, Andere, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 40pF. Kosten): 14pF. Kanaltyp: N. Funktion: Dualer IGBT-Transistor (isoliert). Kollektorstrom: 200A. Ic(Impuls): 400A. Abmessungen: 108x62x31mm. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 300 ns. Td(on): 250 ns. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 6V. Anzahl der Terminals: 7. Spec info: Hochleistungsschaltung. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, 2 mm × 2 mm Kunststoffgehäuse, 30 v. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.024...0.042 Ohms. Gehäuse: WSON6. Gehäuse (laut Datenblatt): 2 mm × 2 mm Kunststoffgehäuse. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 260pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 57A. Anzahl der Terminals: 6. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 17W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 600A, Andere, Andere, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 37pF. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 600A. Ic(Impuls): 1200A. Abmessungen: 172x89x37mm. Pd (Verlustleistung, max): 3350W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.7 ns. Td(on): 0.21 ns. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.8V. Anzahl der Terminals: 10. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Funktion: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30V/-30V, 6A/-4.2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/-4.2A. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: C3025LS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.2V/-2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 590/631pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Komponentenfamilie: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Spannung Vds(max): 200V. Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 900pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 155 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.1V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECW20P20. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.15V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECX10P20. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1148pF. Kosten): 671pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 390 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 119 ns. Td(on): 34 ns. Technologie: SuperFET MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 0.32 Ohms, TO-220F, 7A, 11A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V, 650V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. Gehäuse: TO-220F. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Drain-Source-Spannung (Vds): 650V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 11A. Leistung: 36W. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SuperFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V