N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 0.10 Ohms, TO-220, 60V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 60V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 7A. Leistung: 50W

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 60V, 24A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS132. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 40 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 42V, 0.6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 38us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.78W. Komponentenfamilie: low-side MOSFET. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 42V, 0.6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 38us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.78W. Komponentenfamilie: low-side MOSFET. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), TO-263/5, 42V, 5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-263/5. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Herstellerkennzeichnung: BTS410E2. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.22 Ohms @ 1.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 125us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 85us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 45V, 1.4A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS4141N. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 0.5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 150us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 42V, 11A, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Einschaltwiderstand Rds On: 38m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-5-11. RoHS: ja. Herstellerkennzeichnung: BTS432E2. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 300us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 80us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Anzahl der Terminals: 5. Spec info: PROFET N-MOS 43V 11A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK/5, TO-263, 42V, 11A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/5. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS432E2-SMD. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 300us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 80us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK/5, TO-263, 41V, 9.8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/5. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 41V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 200us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK/7, TO-263, 18V, 40A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/7. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 18V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Herstellerkennzeichnung: S50010E. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), P-DSO-12, 40V, 2.4A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: P-DSO-12. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 12:1. Herstellerkennzeichnung: BTS5210L. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 2.4A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 250us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), P-DSO-12, 40V, 3.7A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: P-DSO-12. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 12:1. Herstellerkennzeichnung: BTS5215L. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 250us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK/7, TO-263, 34V, 4A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/7. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS611L1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 400us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 400us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK/5, TO-252, 38V, 7A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK/5. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 38V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS6142D. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 7.5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 600us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 600us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), P-DSO-20, 34V, 2.9A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: P-DSO-20. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS721L1. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 400us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 400us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 30 milliOhms, SO, PG-DSO20. Einschaltwiderstand Rds On: 30 milliOhms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-DSO20. Funktion: „Intelligenter High-Side-Leistungsschalter“. Ausgang: 2db N-MOS 43V 5.5A. Anzahl der Terminals: 20. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). VCC: 5...34V

N-Kanal-Transistor, 7.5A, 13.5A, 13.5A, 0.12 Ohms, 50V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 13.5A. IDSS (max): 13.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. Spannung Vds(max): 50V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Technologie: V-MOS. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 20uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.1 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 750pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. IDss (min): 2uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 61A, 75A, 1uA, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V, 0.009 Ohms. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-404. Spannung Vds(max): 55V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. C(in): 2230pF. Kosten): 510pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 62 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 347A. IDss (min): 0.05uA. Pd (Verlustleistung, max): 166W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 84 ns. Td(on): 18 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 54A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 17m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-404. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1200pF. Kosten): 290pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 217A. IDss (min): 0.05uA. Pd (Verlustleistung, max): 118W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 70 ns. Td(on): 15 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 14A, 20A, 500uA, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V, 0.064 Ohms. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-78 ( TO220AB ). Spannung Vds(max): 55V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.064 Ohms. C(in): 440pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 81A. IDss (min): 0.05uA. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Automotive, Leistungsschaltung, 12-V- und 24-V-Motor. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. IDSS (max): 52A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.018 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): P-TO263-3-2. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1220pF. Kosten): 410pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS, PowerMosfet. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 19A, 30A, 100uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AC, 50V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.03 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Spannung Vds(max): 50V. C(in): 1500pF. Kosten): 750pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 180 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 32A, 42A, 42A, 0.028 Ohms, 50V. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 42A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms. Spannung Vds(max): 50V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Technologie: V-MOS. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 22A, 39A, 39A, 40m Ohms, 50V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 39A. IDSS (max): 39A. Einschaltwiderstand Rds On: 40m Ohms. Spannung Vds(max): 50V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Technologie: V-MOS S/L. Hinweis: 250/500ns. Menge pro Karton: 1