Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V - 2SK3936

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N-Kanal-Transistor, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V - 2SK3936. N-Kanal-Transistor, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 4250pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 380 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. Id(imp): 92A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Feldeffekt-MOS-Typ (MACH-II-MOS VI). Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 14:25.

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STW20NK50Z

STW20NK50Z

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V, 30. Gehäuse: PCB-Löten...
STW20NK50Z
N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V, 30. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 500V. Gehäuse (JEDEC-Standard): 30. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: W20NK50Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 28 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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