NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: ja. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: 1. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: hFE 1000. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDT64C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDV65BG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 15A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW42G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 85W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V, 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kollektorstrom: 15A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDW84C

NPN-Transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDW84C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 7us. Tf(min): 0.9us. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDW84D. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, TO220, 100V. Gehäuse: TO220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Typ: Darlington-Transistor. Polarität: NPN. Leistung: 80W. Collector-Base-Spannung VCBO: 100V. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 100. Strom max 1: 12A. Serie: BDW93

NPN-Transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Komplementärtransistor (Paar) BDW94CF. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 33W. RoHS: ja. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V

NPN-Transistor, 100V, 12A, TO-220FP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220FP. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Leistung: 33W

NPN-Transistor, TO220, 100V. Gehäuse: TO220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Typ: Darlington-Transistor. Polarität: NPN. Leistung: 70W. Collector-Base-Spannung VCBO: 100V. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 750. Strom max 1: 10A. Serie: BDX33

NPN-Transistor, 80V, 8A, TO-220-F. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220-F. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Leistung: 20W. Max Frequenz: 20MHz. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 750

NPN-Transistor, TO220, 100V. Gehäuse: TO220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Typ: Darlington-Transistor. Polarität: NPN. Leistung: 60W. Collector-Base-Spannung VCBO: 100V. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 750. Strom max 1: 8A. Serie: BDX53

NPN-Transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schaltnetzteil. Pd (Verlustleistung, max): 95W. RoHS: NINCS. Td(off): 3.5us. Td(on): 0.5us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+175°C. VCBO: 750V

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 25mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, 25V, 0.1A, TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 25V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Anwendungen: RF-POWER. Max Frequenz: 400MHz

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1. Funktion: TV-ZF-reVHF

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 25mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BF240. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.22W

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 25mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF421. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 250V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Ic(Impuls): 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF423. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.1A, 160V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN