NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 10A, 115V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD246C. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 40A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD250C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD250C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 6A, SOT-82, 100V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: SOT-82. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Hinweis: >750. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 22V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 22V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 45V, 4A, TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 45V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 36W. Max Frequenz: 3MHz

NPN-Transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 45V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-32. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD440. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V

NPN-Transistor, 80V, SOT32. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Gehäuse: SOT32. Polarität: NPN. Leistung: 36W. Typ: Leistung. Collector-Base-Spannung VCBO: 80V. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Bandbreite MHz: 3MHz. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 15. Strom max 1: 4A. Serie: BD

NPN-Transistor, 4A, PCB-Löten, TO-225. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Herstellerkennzeichnung: BD441G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD649. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 62.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 10A, 45V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD677. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD677A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD677AG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, SOT32, 80V. Gehäuse: SOT32. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Typ: Darlington-Transistor. Polarität: NPN. Leistung: 40W. Collector-Base-Spannung VCBO: 80V. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 750. Strom max 1: 4A. Serie: BD679

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD680A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.8V

NPN-Transistor, 100V, 4A, TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Leistung: 40W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD681G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 4A, 80V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD809G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 100V, 15A, TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 90W

NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD912. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, SOT223, 60V. Gehäuse: SOT223. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 60V. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Polarität: NPN. Leistung: 5W. Collector-Base-Spannung VCBO: 60V. Montageart: SMD. Bandbreite MHz: 100MHz. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 15. Strom max 1: 3A. Serie: BDP

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDP949. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C