NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D35/B, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, 0.05A, 50V. Kollektorstrom: 0.05A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: TV-IF. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: 9mm Höhe. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V/50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 15W

NPN-Transistor, 5A, 500V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, D35/B, 300mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/30V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 15W

NPN-Transistor, PCB-Löten, M18/J, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M18/J. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.25W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 55V/50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/35V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, 8A, 400V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/40V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/40V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, 0.15A, TO-92, TO-92S ( SPT SC-72 ), 50V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92S ( SPT SC-72 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1710. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220C, 200mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220C. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 15W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 15mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-18, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-18. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V/50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W

NPN-Transistor, 0.5A, 25V. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1815Y. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +120°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1015Y. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxietyp . Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 1200. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1841. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.07V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V