NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C224GR. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA970GR. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.1A, 300V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: VID-L. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-236, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-236. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100MHz. Funktion: Hochspannungsschaltung, NF-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1011. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V/100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 20pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2383 Y. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1013. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BQ. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BQ. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +155°C. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1037. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 400mV

NPN-Transistor, PCB-Löten, P22/U, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: P22/U. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Funktion: CSC2342. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Spec info: Höhe 5mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Ic(Impuls): 5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2500. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor. Transistortyp: NPN. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 90V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 17A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 17A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 200V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 400V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 450V

NPN-Transistor, PCB-Löten, D17/C, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D17/C. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 150V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D8/C, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8/C. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D6/C, 20mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D6/C. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/30V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

NPN-Transistor, 1A, 40V. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: hFE 100...200. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Kollektorstrom: 1.2A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 19pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 155 MHz. Funktion: HF. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Ic(Impuls): 2.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2690A Y. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1220A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.8pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Ic(Impuls): 800mA. Hinweis: 9mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2705. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1145. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: NPN. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 700. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code DG. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DG. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1163. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 300mV

NPN-Transistor, PCB-Löten, SOT-103, 20mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOT-103. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W