Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - 2SC2412

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NPN-Transistor, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - 2SC2412. NPN-Transistor, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 180. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BQ. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BQ. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +155°C. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1037. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 400mV. Originalprodukt vom Hersteller ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 18:25.

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NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 1F. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN
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