NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-236, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-236. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.15W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 180V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W

NPN-Transistor, 300mA, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrom: 300mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Zum Stummschalten und Schalten. Maximaler hFE-Gewinn: 1200. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 400mW. RoHS: ja. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 130 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.042V. Vebo: 25V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 70mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 70mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 180V/160V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 70mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SC2910. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 180V/160V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W. Grenzfrequenz ft [MHz]: 400. Betriebstemperaturbereich min (°C): 70mA. Betriebstemperaturbereich max (°C): 140mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1208. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.14A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 180V. Kollektorstrom: 0.14A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1209. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 150mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, 7A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V

NPN-Transistor, PCB-Löten, D18/C, 200mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D18/C. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V/100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W

NPN-Transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Hochstromschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Hinweis: für Schaltanwendungen. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1244. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3074. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, D8A/C, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8A/C. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/19V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W

NPN-Transistor, PCB-Löten, D6/C, 150mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D6/C. Kollektorstrom Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 150mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V/50V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 180V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: TV-NF/E. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1249. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SC3157. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1265. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.02A, 40V. Kollektorstrom: 0.02A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 550 MHz. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 660 MHz. Funktion: TV-ZF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Allzweck. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3198. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, TO-92, 150mA, TO-92, 50V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 150mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: NINCS. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-92. Kosten): 3.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 700. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +125°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Spec info: Ersatz KTA1267. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Hi-Beta, lo-sat.. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Hinweis: 9mm. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxietyp . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V