NPN-Transistor 2SD1010, 0.05A, 50V

NPN-Transistor 2SD1010, 0.05A, 50V

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NPN-Transistor 2SD1010, 0.05A, 50V. Kollektorstrom: 0.05A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. FT: 200 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller: Matsushita. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12

Technische Dokumentation (PDF)
2SD1010
8 Parameter
Kollektorstrom
0.05A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
50V
FT
200 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
0.3W
Transistortyp
NPN
Originalprodukt vom Hersteller
Matsushita