Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 2A, TO-220, 450V - BUX85

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 2A, TO-220, 450V - BUX85
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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 2A, TO-220, 450V - BUX85. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 2A, TO-220, 450V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUX85G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 15:25.

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NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Schnelles Schalten für Schaltnetzteile. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 150us. Tf(min): 80us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V
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