Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 2A, TO-220, TO-220, 450V - BUX85

NPN-Transistor, 2A, TO-220, TO-220, 450V - BUX85
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NPN-Transistor, 2A, TO-220, TO-220, 450V - BUX85. NPN-Transistor, 2A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: S-L. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Ic(Impuls): 3A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Schnelles Schalten für Schaltnetzteile. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 150us. Tf(min): 80us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V
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