NPN-Transistor KSC5027F-R, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V

Technische Produktbeschreibung (KSC5027F-R):

NPN-Transistor KSC5027F-R, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: 0...+150°C. CE-Diode: ja. FT: 15 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Kosten): 60pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Vebo: 7V