Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 15A, TO-247, TO-247, 230V - MJW3281AG

NPN-Transistor, 15A, TO-247, TO-247, 230V - MJW3281AG
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NPN-Transistor, 15A, TO-247, TO-247, 230V - MJW3281AG. NPN-Transistor, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2.8pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Komplementärer bipolarer Leistungstransistor. Produktionsdatum: 201444 201513. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJW1302A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 23:25.

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NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 260V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Komplementärer bipolarer Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 45. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL1302A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 260V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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