Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, SOT23, 4.87k Ohms - SMBTA42

NPN-Transistor, SOT23, 4.87k Ohms - SMBTA42
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NPN-Transistor, SOT23, 4.87k Ohms - SMBTA42. NPN-Transistor, SOT23, 4.87k Ohms. Gehäuse: SOT23. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 4.87k Ohms. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Polarität: NPN. Leistung: 0.36W. Collector-Base-Spannung VCBO: 4.87k Ohms. Montageart: SMD. Bandbreite MHz: 50MHz. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 25. Strom max 1: 0.5A. Serie: SMBTA. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungsverstärkertransistor (SMD -Version des MPSA42 -Transistors). Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Hinweis: 1D. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 240mW. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MMBTA92. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V
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