Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NTD20N06L. C(in): 707pF. Kosten): 224pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20N6LG. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.039 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25 ns. Td(on): 9.6 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 12:25.

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