P-Kanal-Transistor IRF9953, SO8
Menge
Stückpreis
1-4
3.98€
5-9
2.63€
10-19
2.43€
20-49
2.31€
50+
2.21€
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P-Kanal-Transistor IRF9953, SO8. Gehäuse: SO8. Aufladung: 6.1nC. Drain-Source-Spannung: -30V. Gate-Source-Spannung: 20V. Leistung: 2W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -2.3A. Thermischer Widerstand: 62.5K/W. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 09/09/2025, 15:10
IRF9953
11 Parameter
Gehäuse
SO8
Aufladung
6.1nC
Drain-Source-Spannung
-30V
Gate-Source-Spannung
20V
Leistung
2W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
-2.3A
Thermischer Widerstand
62.5K/W
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon (irf)