PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 25mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 450 MHz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 830mW. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF420. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 250V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Ic(Impuls): 100A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF422. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( SOT-54 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BF450. Grenzfrequenz ft [MHz]: 350 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Spec info: feedback capacitance--0.45pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 40V. Vebo: 4 v

NPN-Transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 25mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 350 MHz. Funktion: HF- und ZF-Stufen in Funkempfängern. Maximaler hFE-Gewinn: 90. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Vebo: 4 v

NPN-Transistor, 0.03A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Kollektorstrom: 0.03A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF471. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 50mA, 30 v. Kollektorstrom: 50mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 50mA, 30 v. Kollektorstrom: 50mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VHF/UHF-V. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 350V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 30mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 550 MHz. Funktion: VHF-V. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 35V. Vebo: 4 v

NPN-Transistor, TO-92, TO-92. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

NPN-Transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 25mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 700 MHz. Funktion: UKW-Oszillator. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Vebo: 4 v

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: DB. Grenzfrequenz ft [MHz]: 60 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Kollektorstrom: 0.03A. Gehäuse: SOT-39. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1W. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 20V, 25mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1. Funktion: UHF-V

NPN-Transistor, 30mA, TO-50, TO-50, 40V. Kollektorstrom: 30mA. Gehäuse: TO-50. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-50. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Pd (Verlustleistung, max): 0.15W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 30mA, 20V. Kollektorstrom: 30mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: UHF-V. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, TO-264, 250V, 200mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BFN37. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 12V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 35mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochfrequenz -PNP -Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: X1p. Grenzfrequenz ft [MHz]: 5GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 150 Ohms. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: hoher Gleichstrom, Relaistreiber, Lampentreiber. Maximaler hFE-Gewinn: 2000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 2A. Pd (Verlustleistung, max): 1.25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BSP50. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP62. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: hFE 50...300. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Spec info: Siebdruck/CMS-Code T8. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 60V