PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 3L (AMMO). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A992. Äquivalente: 2SC992. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSC1845. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 9 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B1366-G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSD2012. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon PNP Triple Diffused Type. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 1A, 30 v. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 110 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Spec info: SAMSUNG. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Hinweis: Pinbelegung E, C, B. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaktischer PNP-Siliziumtransistor. Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S. Spec info: 0504-000142. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SW. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 47. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 47. Kosten): 2.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S. Spec info: 12159-301-810. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 10. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 10. Kosten): 3.7pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1.5A, 150V. Kollektorstrom: 1.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaxialer planarer PNP-Transistor“. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P ( H ) IS. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 280pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 55. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B778. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KTD998. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, TO-204AA, 120V, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ11015G. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Hinweis: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11016. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorstrom: 50A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Kosten): 300pF. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Maximaler hFE-Gewinn: 18000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 100A. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11032. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, TO-204AA, 120V, 50A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ11033G. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 70. C(in): TO-3. Kosten): TO-204AA. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15003. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 360pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V

NPN-Transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15015. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ15016G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 18 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15022. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 350V

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15022. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 280pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15024. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 250V, 16A, PCB-Löten, TO-3, TO-204AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 16A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ15025G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ21193G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204AA ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ21196. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V