PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 2A, SANYO--PCP4, 25V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): SANYO--PCP4. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 5A. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Anzahl der Terminals: 7. Menge pro Karton: 1. Spec info: 2SB1121 und SB05-05CP in einem Gehäuse integriert

NPN-Transistor, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: hFE 5000. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) FN1016. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 3A, PCP4, 15V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse (laut Datenblatt): PCP4. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 100. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 6. Spec info: Transistor + diode block. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 400V, 0.2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 0.2A. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZT558. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 30 v, 5.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5.5A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZT949. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V. Spec info: Sehr niedrige Sättigungsspannung

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 3A, 40V. Kollektorstrom: 3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Hinweis: hFE 100...400. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: PNP. Spec info: TO-92

NPN-Transistor, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 3A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 160...320. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Spec info: NICHT isoliertes Gehäuse

NPN-Transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: KSA642-O

NPN-Transistor, 0.15A, 60V. Kollektorstrom: 0.15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: 9mm. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277

NPN-Transistor, 0.7A, 80V. Kollektorstrom: 0.7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NF/S. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: PNP. Spec info: 9mm Höhe. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Kosten): 55pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSC2073. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 3L (AMMO). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Kosten): 2pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A992. Äquivalente: 2SC992. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSC1845. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Kosten): 35pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 9 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B1366-G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon PNP Triple Diffused Type. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSD2012. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1A, 30 v. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 110 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Transistortyp: PNP. Spec info: SAMSUNG. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Hinweis: Pinbelegung E, C, B. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Kosten): 6pF. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaktischer PNP-Siliziumtransistor. Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S. Transistortyp: PNP. Spec info: 0504-000142. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SW. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 47. BE-Widerstand: 47. Kosten): 2.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: 12159-301-810. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 10. BE-Widerstand: 10. Kosten): 3.7pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1.5A, 150V. Kollektorstrom: 1.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Kosten): 50pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaxialer planarer PNP-Transistor“. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( H ) IS, 120V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P ( H ) IS. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kosten): 280pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 55. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B778. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KTD998. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS