PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Funktion: Schalt- und Verstärkeranwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N3055. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, TO-204AA, 60V, 15A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ2955G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2.5 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 115W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: J45H11. Grenzfrequenz ft [MHz]: 90 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15031. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15030G. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220. Kosten): 2pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15032. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 8A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) MJE15034G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 120pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65MHz. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE200. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 200pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung, Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE243. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220AB. Kosten): TO-220AB. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 8V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: für Hi-Fi-Audioverstärker und Schaltregler. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 8V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE2955TG. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

NPN-Transistor, PCB-Löten, SOT-32, TO-126, 300V, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOT-32. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE350. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 240. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE340. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Vebo: 3V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. C(in): 7pF. Kosten): 110pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Äquivalente: KSE350. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE340. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Vebo: 3V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Hinweis: Kunststoffgehäuse. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE340. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, TO-225, 300V, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE350G. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 8A, 400V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: PNP. VCBO: 450V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, TO-220, 400V, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE5852G. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 260V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.7pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: hFE 45(min). Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 45. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL3281A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 260V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO–3PBL. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 500pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL21194. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 35 MHz. Funktion: Power-Audio, geringe harmonische Verzerrung. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL4281A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon Power Bipolar Transistor. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -60...+150°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: Komplementärer bipolarer Leistungstransistor. Produktionsdatum: 201446. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJW3281A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 16A, TO-247, TO-247, 250V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hervorragende Verstärkungslinearität. Produktionsdatum: 2015/04. Maximaler hFE-Gewinn: 80. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJW21196. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 800mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2F. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 40V, 200mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 250 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. Spec info: SMD 2A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V