PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltender Hochspannungs-Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 32. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: N93003. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) STN83003. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V

NPN-Transistor, -20V, -1A, TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -20V. Kollektorstrom: -1A. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: PNP-Transistor. Polarität: PNP. Leistung: 1W. Max Frequenz: 65MHz. Anwendungen: Audio

NPN-Transistor, -45V, -1A, TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -45V. Kollektorstrom: -1A. Gehäuse: TO-92. Transistortyp: PNP-Transistor. Polarität: PNP. Leistung: 0.8W. Max Frequenz: 150MHz. Anwendungen: Audio

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schalten, Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 15A. Hinweis: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP102. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 80V, 5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP126. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP122. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. C(in): 75pF. Kosten): 10pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2)

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. Kosten): 300pF. CE-Diode: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP122G. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP127. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP137. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, -100V, 100V, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): -100V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP147. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP142T. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Monolithisches Darlington. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, TO-247, 15A, TO-247, 70V. Gehäuse: TO-247. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. RoHS: ja. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) TIP3055. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Spec info: Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 40V, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP30. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 30W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 160pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: PNP TRANS 100V 3. Produktionsdatum: 201448. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP31C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, TO-247, 10A, TO-247, 140V. Gehäuse: TO-247. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. RoHS: ja. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP33C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V

NPN-Transistor, TO-247, 25A, TO-247, 100V. Gehäuse: TO-247. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 50A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP35C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 45pF. CE-Diode: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Produktionsdatum: 1512. Maximaler hFE-Gewinn: 50

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 100V, 25A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP36CG. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP41C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, -100V, -6A, TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -6A. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Leistung: 65W. Max Frequenz: 3MHz

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 180pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 180pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 0.2W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 6B. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 180pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 0.2W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 6D. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. C(in): 75pF. Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 1.6mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 100nA (ICBO), SO, SM-8. Kollektorstrom: 100nA (ICBO). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SM-8. Menge pro Karton: 2. Spannung: 60V. Maximaler hFE-Gewinn: 100 (500mA, 2V). Anzahl der Terminals: 8:1. Max: 140 MHz. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 2.75W. Transistortyp: PNP & PNP. Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 500mV (200mA, 2A)

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX451. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V