PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 180pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 0.2W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 6B. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 180pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 0.2W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 6D. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. C(in): 75pF. Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 1.6mm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 100nA (ICBO), SO, SM-8. Kollektorstrom: 100nA (ICBO). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SM-8. Menge pro Karton: 2. Spannung: 60V. Maximaler hFE-Gewinn: 100 (500mA, 2V). Anzahl der Terminals: 8:1. Max: 140 MHz. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 2.75W. Transistortyp: PNP & PNP. Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 500mV (200mA, 2A)

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX451. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,9V. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX653. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.17V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 400V, 0.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 0.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: ZTX758. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,9V. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX690. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 35us. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92, 70V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,95 V. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Ic(Impuls): 4A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 750 ns. Tf(min): 35us. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.45V. Vebo: 5V