PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 40V, 600mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2T. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2T. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 30 ns. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 150V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2L. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2GM. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 80V, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2GM. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 170pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungsverstärkertransistor (SMD -Version des MPSA42 -Transistors). Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Hinweis: 2D. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2D. Äquivalente: PMBTA92.215. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MMBTA42. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2D. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2D. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A6A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.24W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A6E. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.24W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MPSA92. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92AMMO, 80V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92AMMO. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-TR. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MPSA06. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MPSA56. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 125 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MPSA42. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. C(in): 60pF. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V

NPN-Transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. BE-Diode: NINCS. C(in): 4.5pF. Kosten): 10pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Ic(Impuls): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) NJW0281. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. BE-Diode: NINCS. C(in): 9pF. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30MHz. Funktion: Audio-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) NJW3281. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3P, 250V, 16A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3P. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: NJW21193G. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 15A, 60V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Hinweis: hFE 20...70. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) NTE219. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.3V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 5A, SOT-89, SOT89 (SC-62), 60V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT89 (SC-62). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 85pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 110 MHz. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Ic(Impuls): 15A. Hinweis: PBSS4041NX. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6g. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 6G. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 75 ns. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 60mV. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 300mV. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorstrom: 600mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 29pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 800mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: *T2, P2T, T2T, W2T. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P2T, T2T, W2T, Komplementärtransistor (Paar) PMBT4401. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 75pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckverstärker. Spec info: hFE 80...450. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 45V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 45pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckverstärker. Spec info: hFE 240...600. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 45V

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92AMMO. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. C(in): 30pF. Kosten): 8pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweckverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 30 ns. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V