Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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STP3NA60. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.9A. IDSS (max): 2.9A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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