Transistoren

Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 160-400. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC337-25. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 160-400. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC337-25. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC327-25. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC327-25. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 260 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC327-25. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC327-40. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC337-40

Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 250-600. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC337-40. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Gehäuse: TO-92. Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -30V. C(in): -0.8A. Kosten): 0.63W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 210 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-25. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC337-25. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC337-25. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 210 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Leistung: 0.63W. Gehäuse: TO-92

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC337-25. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC337-40. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-40

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC337-40. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 210 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Leistung: 0.63W. Gehäuse: TO-92

Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-16. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-25. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammo-Pack. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-40. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Leistung: 0.63W. Max Frequenz: 100MHz. Gehäuse: TO-92

Kosten): 40pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 63. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 375. Minimaler hFE-Gewinn: 85. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 32V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Vebo: 5V. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) BC369

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC369. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 45 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V

Transistortyp: PNP-Transistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -20V. Kollektorstrom: -1A. Leistung: 0.625W. Gehäuse: TO-92

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 160000. Minimaler hFE-Gewinn: 8000. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: VEBO 12V