Transistoren

Kanaltyp: N-P. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: ID(AV)--N--9A P--8A. Hinweis: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Hinweis: Vdss 30V (N), -30V (P)

Kanaltyp: N-P. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: DIP-8. Gehäuse: DIP. Menge pro Karton: 2. Hinweis: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

Kanaltyp: N-P. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

Kanaltyp: N-P. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: *SMD TO-252-4L*. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

Kanaltyp: N-P. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

C(in): 450pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. IDSS: 10uA. IDSS (max): 10.4A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4800C G M. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 17 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Funktion: Schnell schaltender DC/DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 8440pF. Kosten): 1775pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 48A. ID (T=25°C): 48A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 88N30W. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 312W. Einschaltwiderstand Rds On: 48m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1440pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 43 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.064 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N-P. Funktion: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 4. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms

C(in): 1170pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, Wechselrichter, Netzteile. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 32A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 9962GH. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 27.8W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 8 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Funktion: MOS-N-FET. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.050R (50m Ohms)

C(in): 1700pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, Wechselrichter, Netzteile. Id(imp): 90A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 9971GH. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 39W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1700pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NO. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220CFM. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 2. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 7A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 9971GM. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 4W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.050R (50m Ohms). RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Funktion: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: td(on) 12ns. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Anreicherungsmodus-MOSFET“. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Spannung Vds(max): 20V

Kanaltyp: N-P. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Erweiterungsmodus DUAL MOSFET (N- und P-Kanal)“. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Hinweis: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. Hinweis: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Hinweis: Vds 30V & 30V

C(in): 1685pF. Kosten): 210pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 55ms. Funktion: Hochfrequenz-Schaltnetzteile. Kollektorstrom: 56A. Ic(Impuls): 65A. Ic(T=100°C): 27A. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: POWER MOS 7® IGBT. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 4360pF. Kosten): 895pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 280 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 164A. ID (T=25°C): 41A. IDSS (max): 1000uA. IDss (min): 250uA. Pd (Verlustleistung, max): 378W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOS 7 FREDFET. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT-227 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: schnelles Schalten, geringe Leckage. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 7400pF. Kosten): 1000pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 620 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 176A. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 450W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSV. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT-227 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Funktion: schnelles Schalten, geringe Leckage. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2600pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 260W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSV. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Funktion: schnelles Schalten, geringe Leckage. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-323. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 5.5V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 40mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2.4GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-343. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: 5Fx. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 0.37V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.27W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 1. Hinweis: TU

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: B891F. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor