Transistoren

Kanaltyp: N-P. Funktion: MOSFET-Transistor, Rds (ON) sehr niedrig. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms

Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Komplementäre MOSFET-Transistoren, N-Kanal und P-Kanal. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm

C(in): 1980pF. Kosten): 317pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 11.2 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12.7A. IDSS (max): 20mA. IDss (min): 0.02mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0098 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 27 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Menge pro Karton: 1. Funktion: FET in SMPS, Lastschaltung. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3760pF. Kosten): 682pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 18 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 20A. IDSS: 0.1mA. IDSS (max): 20mA. IDss (min): 0.1mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0039 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 34 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2154pF. Kosten): 474pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 12 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 20mA. IDss (min): 0.1mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0058 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25.2 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V. Menge pro Karton: 1. Funktion: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 27.5us. Funktion: MOSFET-Transistor, Rds (ON) sehr niedrig. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Einschaltwiderstand Rds On: 46m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 4.7V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 2

C(in): 4360pF. Kosten): 1050pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 39.5 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 85A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 0.01uA. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.1M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 51 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 920pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 21.4 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 0.003uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D405. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 24.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) AOD408. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1040pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 19 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D408. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 13.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 17.4 ns. Td(on): 4.5 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) AOD405. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2977pF. Kosten): 241pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 0.003uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D409. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 32m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 450pF. Kosten): 61pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 27.6 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Einschaltwiderstand Rds On: 47m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 16 ns. Td(on): 4.2 ns. Technologie: „Neueste Trench Power MOSFET-Technologie“. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 951pF. Kosten): 373pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Trr-Diode (Min.): 10.2 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Id(imp): 96A. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 54A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Einschaltwiderstand Rds On: 6m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 18.5 ns. Td(on): 6.25 ns. Technologie: „Neueste Trench Power MOSFET-Technologie“. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.8V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: Sehr niedriger RDS(on) bei 10VGS. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kosten): 16pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 172ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 3.9A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 52W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 18 ns. Td(on): 17 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 400V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. C(in): 273pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 962pF. Kosten): 98pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 332ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 178W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.71 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 24 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2850pF. Kosten): 258pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 19 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 170A. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.3m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Gehäuse: PowerPAK SO-8. Gehäuse (laut Datenblatt): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Menge pro Karton: 1. Funktion: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3430pF. Kosten): 1327pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 22 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 340A. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 33.8 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: „Neueste Trench Power AlphaMOS-Technologie“. Gehäuse: PowerPAK SO-8. Gehäuse (laut Datenblatt): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: DFN8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: 7401. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -36A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.017 Ohms @ -7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2060pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Funktion: Komplementärer Verbesserungsmodus FET. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P605. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

Kanaltyp: N-P. Funktion: Komplementärer Verbesserungsmodus FET. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

C(in): 1100pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 19 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 46A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AOY2610E. Pd (Verlustleistung, max): 59.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 7.7m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 22 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: Trench Power AlphaSGTTM technology. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.4V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 655pF. Kosten): 145pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 95A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 40T03 GP. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 25m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 655pF. Kosten): 145pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 95A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 40T03 GP. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 25m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 mS. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 655pF. Kosten): 145pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 95A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 40T03GS. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31W. Einschaltwiderstand Rds On: 25m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 990pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 35V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Schnell schaltender DC/DC-Wandler. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4501GM. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2)