Transistoren

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A743. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 120 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

Menge pro Karton: 1

Menge pro Karton: 1. Spec info: Ersatz

Menge pro Karton: 1

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: GE. FT: 1250 MHz. Kollektorstrom: 20mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-39. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-39. Transistortyp: PNP. VCBO: 20V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 13V. Vebo: 0.3V

Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4502C. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2)

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 52A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. Leistung: 228W. Gehäuse: TO-247AC. Eingebaute Diode: ja. Drain-Source-Spannung (Vds): 1200V

C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. IDss (min): 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ALF08P20V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. IDss (min): 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ALF08N20V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 630pF. Kosten): 75pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 16.8 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schalt- oder PWM-Anwendungen. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 5.7A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 22m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21.5 ns. Td(on): 3.2 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 933pF. Kosten): 108pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 21 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 42 ns. Td(on): 5.2 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 1.3V. Vgs(th) min.: 0.6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. Spec info: Betriebs-Gate-Spannung nur 2,5 V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 621pF. Kosten): 118pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 15.5 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 4.9A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. Einschaltwiderstand Rds On: 23.4m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15.1 ns. Td(on): 4.5 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 520pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schalt- oder PWM-Anwendungen. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 4.1A. Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1160pF. Kosten): 187pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 17.7 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. Einschaltwiderstand Rds On: 18M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 51.7 ns. Td(on): 6.2 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: ESD-geschützt. G-S-Schutz: ja

C(in): 2060pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 7.4A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.7W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0085 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4407A. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2330pF. Kosten): 480pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Transistortyp: FET. Funktion: Schalt- oder PWM-Anwendungen. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10.5A. ID (T=25°C): 12.5A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0094 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 49.5 ns. Td(on): 12.8 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

C(in): 6060pF. Kosten): 638pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 33.5 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0047 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 51.5 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: „Enhancement Mode Field Effect (SRFET)“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Spec info: Extrem niedriger Gate-Widerstand. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Technologie: Komplementäre MOSFET-Transistoren, N-Kanal und P-Kanal

Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Technologie: Komplementäre MOSFET-Transistoren, N-Kanal und P-Kanal

Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Technologie: Komplementäre MOSFET-Transistoren, N-Kanal und P-Kanal

Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Einschaltwiderstand Rds On: 28/35m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP-8. Menge pro Karton: 2. Technologie: Komplementäre MOSFET-Transistoren, N-Kanal und P-Kanal. Spec info: Ersatz für MOSFET

Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. Technologie: Komplementäre MOSFET-Transistoren, N-Kanal und P-Kanal, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A

Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Komplementärer Verbesserungsmodus FET. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms

Kanaltyp: N-P. Funktion: Komplementärer Verbesserungsmodus FET. IDSS: 1...5uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 16.2/4.8 ns. Td(on): 6.4 ns. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Menge pro Karton: 2. Hinweis: IDM--30Ap & 30Ap. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms

Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.032R&0.048R (32 & 48m Ohms). Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Technologie: MOS-N&P-FET, Complementary ESD rating--3000V (HBM)