Transistoren

C(in): 430pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 14.8A. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 3.7A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3699. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 43W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.31 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 32 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Super FAP-G Series. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2200pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1700 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3799. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 65 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( SC-67 ). Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 96pF. Kosten): 29pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 2.8A. ID (T=25°C): 0.7A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3850. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Einschaltwiderstand Rds On: 14 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 16 ns. Td(on): 9 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2200pF. Kosten): 45pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1.4us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 5.3A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3878. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 65 ns. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). G-S-Schutz: ja

C(in): 4250pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1350 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3911. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.22 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Feldeffekt-MOS-Typ (MACH-II-MOS VI). Gehäuse: TO-3PN. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 4250pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 380 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. Id(imp): 92A. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 500uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Feldeffekt-MOS-Typ (MACH-II-MOS VI). Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: ja

C(in): 2400pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 52A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K4012. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 70 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (TT-MOS VI). G-S-Schutz: ja

C(in): 1400pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K4013 Q. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.35 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 80 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F ( 2-10U1B ). Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (TT-MOS IV). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor driver. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 60V. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (U-MOS III)

C(in): 2900pF. Kosten): 450pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochstrom-Schaltanwendungen. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 60A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K4075. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 52W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.2m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 54 ns. Td(on): 18 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Technologie: Leistungs-MOSFET, Feldeffekttransistor. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3400pF. Kosten): 320pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): n/a. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.21 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 280 ns. Td(on): 130 ns. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Feldeffekttransistor, MOS-Typ (MOS VI). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: V-MOS. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Spannung Vds(max): 800V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5 Ohms. Spannung Vds(max): 850V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Technologie: V-MOS. Spannung Vds(max): 800V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 3A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Technologie: V-MOS. Spannung Vds(max): 800V. Hinweis: (F)

C(in): 900pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: V-MOS S-L. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1.8A. ID (T=25°C): 0.6A. IDSS (max): 0.6A. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD. Spannung Vds(max): 100V. Funktion: Relaisantrieb, Motorantrieb

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 25A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.046 Ohms. Technologie: V-MOS. Spannung Vds(max): 60V

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 26A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 800V

Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Fast-switching. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D13009K. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220C. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D209L. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(min): 0.7us. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20. Minimaler hFE-Gewinn: 16. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4202BD. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Transistortyp: NPN. VCBO: 800V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.18V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 490V. Vebo: 13V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

C(in): 7pF. Kosten): 5.9pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. ID (T=25°C): 0.15A. IDSS (max): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 0.15W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.7 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 150 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Silizium-MOSFET-Transistor. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): SSFP. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.3V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.4V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-343. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 12.5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1V. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V/40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W