Transistoren

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1

Kosten): 5.5pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Funktion: VID-L. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 300mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Kollektorstrom: 0.03A. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF471. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 50mA. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VHF/UHF-V. Kollektorstrom: 50mA. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Kollektorstrom: 0.05A. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Spec info: TO-93

Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -250V. Kollektorstrom: -0.5A. Leistung: 0.8W. Gehäuse: TO-92

Kosten): 1.6pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 350V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 550 MHz. Funktion: VHF-V. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 30mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 35V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

C(in): 1.7pF. Kosten): 0.8pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: JFET. Funktion: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 6.5mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20*. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 2mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Feldeffekttransistor mit Siliziumübergang. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.2V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.4V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1.7pF. Kosten): 0.8pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: JFET. Funktion: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 15mA. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 21*. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 6mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Feldeffekttransistor mit Siliziumübergang. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 3.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1.6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1.7pF. Kosten): 0.8pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: JFET. Funktion: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 25mA. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 22*. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 12mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Feldeffekttransistor mit Siliziumübergang. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 7.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 700 MHz. Funktion: UKW-Oszillator. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 25mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: DA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 60 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: DB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 60 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Kollektorstrom: 0.03A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-39. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-39. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 45 MHz. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: UHF-V M/O. Kollektorstrom: 25mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Menge pro Karton: 1

Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1V. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Siebdruck/SMD-Code

Kosten): 1.6pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1W. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 1W. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-202. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.8W

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90MHz. Kollektorstrom: 50mA. Id(imp): 300mA. Pd (Verlustleistung, max): 7W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 275V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 1