Transistoren

Konditionierung: Rolle. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 6GHz. Funktion: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Maximaler hFE-Gewinn: 90. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 35mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: R2. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 12V. Vebo: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 3000. Spec info: SMD R2. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5GHz. Funktion: HF-Verstärker bis zum GHz-Bereich für Antennenverstärker.. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 100mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 700W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Planarer HF-Transistor“. Gehäuse: SOT-37 ( TO-50 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-37 ( TO-50 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 20V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Vebo: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.8GHz. Funktion: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 90. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 25mA. Ic(Impuls): 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: E2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Vebo: 2.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 450 MHz. Funktion: „ZF- und VHF-Dick- und Dünnschichtschaltung“. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 25mA. Ic(Impuls): 25mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G1*. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 30 v. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Vebo: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code G1p, G1t, G1W

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: X1p. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 12V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 35mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 5GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: UHF-A. Kollektorstrom: 0.2A. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BFU590G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 24V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 8.5GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Hochspannungstransistor. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) BFV421

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.6GHz. Funktion: VHF-UHF-A. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-72. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-72. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 20V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 10V. Vebo: 2.5V

Gehäuse: TO-50. Widerstand B: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Lötung (SMD). C(in): TO-50. CE-Diode: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3.2GHz. Funktion: Breitband-HF-Verstärker bis zum GHz-Bereich.. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 0.025A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-50-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Spec info: „Planarer HF-Transistor“

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF/S. Kollektorstrom: 1A. Hinweis: b>70. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: NF/HF/S. Kollektorstrom: 0.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: NF/HF/S. Kollektorstrom: 0.5A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 860 MHz. Funktion: UHF-L. Kollektorstrom: 1.25A. Pd (Verlustleistung, max): 1.07W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 470 MHz. Funktion: UHF-L. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 7.8W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 36V

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 860 MHz. Funktion: UHF-L. Kollektorstrom: 2A. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V

C(in): 85pF. Kosten): 20pF. Kanaltyp: N. Dioden-Tff (25 °C): 8 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 2A. ID (T=25°C): 120mA. IDSS (max): 30nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BS107. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BS107A. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 60pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: (D-S) MOSFETs. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1

C(in): 24pF. Kosten): 40pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 1.2A. ID (T=25°C): 0.5A. IDSS (max): 10nA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BS170. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Feldeffekttransistor, Kleine Signale. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BS170G. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 60pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BS170_D27Z. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 24pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.83W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MX. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 9 Ohms @ -0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 25pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.33W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 60pF. Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 3A. ID (T=25°C): 0.23A. IDSS (max): 500nA. IDss (min): -0.23A. Pd (Verlustleistung, max): 0.7W. Einschaltwiderstand Rds On: 14 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 45V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 30A. Abmessungen: 107.5x45x17mm. Pd (Verlustleistung, max): 700W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 250 ns. Td(on): 50 ns. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Anzahl der Terminals: 24. Spec info: 7x IGBT. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=25°C): 0.1A. IDSS (max): 0.1A. Hinweis: 5ns...20ns. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 15 Ohms. Technologie: D-MOS Log.L. Spannung Vds(max): 50V