Transistoren

C(in): 20pF. Kosten): 9pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 11 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Siebdruck/SMD-Code SA. Id(imp): 680mA. ID (T=25°C): 170mA. IDSS (max): 46.4k Ohms. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Äquivalente: BSS123-7-F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. Einschaltwiderstand Rds On: 6 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Modus zur Verbesserung des Feldeffekttransistor-Logikpegels. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SA. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.6V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 20pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SHS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.021A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.7V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 28pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SRs. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.8V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 77pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 27pF. Kosten): 13pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 0.88A. ID (T=25°C): 0.22A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SS. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.7 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 2.5 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 50V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 50pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.2A. IDss (min): 0.5uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SS. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.4 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 0.008g. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 50V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V. Spec info: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 200mA. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 36ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 27pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: J1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 50pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: STs. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.03A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 76pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.54A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.6V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 31 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 75pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 25pF. Kosten): 15pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Id(imp): 520mA. ID (T=100°C): 75mA. ID (T=25°C): 130mA. IDSS (max): 46.4k Ohms. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11W. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 6 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 7 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: „Vertikaler D-MOS-Transistor im Erweiterungsmodus“. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 50V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 11W. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 13. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 7 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 45pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: KNP. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: MOSFET mit Komplementärpaar-Verstärkungsmodus. Gehäuse: SOT-363 ( SC-88 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-363. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code KNP. Funktion: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.5 Ohms @ -0.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.1V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 48 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 36pF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: Pd (Verlustleistung, max). Drain-Source-Spannung Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3.6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 12 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 36pF

C(in): 80pF. Kosten): 15pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.25A. IDSS (max): 1000uA. IDss (min): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS88. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: Erweiterungsmodus . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 240V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.6V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 25pF. Kosten): 8.5pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 0.8A. ID (T=25°C): 0.19A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 0.01uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT54. Spannung Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Very fast switching, Logic level compatible. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 25pF. Kosten): 8.5pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr schnelles Umschalten. Id(imp): 0.8A. ID (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 0.01uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.83W. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor . Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Logic Level kompatibel. G-S-Schutz: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 400 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 250mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B2. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.225mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 20V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 12V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code B2

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Kollektorstrom: 1A. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Spec info: TO39

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 7A. Leistung: 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 60V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS132. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 40 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 38us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.78W. Komponentenfamilie: low-side MOSFET. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 38us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.78W. Komponentenfamilie: low-side MOSFET. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TO-263/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Herstellerkennzeichnung: BTS410E2. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.22 Ohms @ 1.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 125us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 85us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C