Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BTS4141N

BTS4141N

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfigu...
BTS4141N
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS4141N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 0.5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 150us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
BTS4141N
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS4141N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 0.5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 150us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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BTS432E2

BTS432E2

RoHS: ja. Herstellerkennzeichnung: BTS432E2. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A...
BTS432E2
RoHS: ja. Herstellerkennzeichnung: BTS432E2. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 300us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 80us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220/5. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 5. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
BTS432E2
RoHS: ja. Herstellerkennzeichnung: BTS432E2. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 300us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 80us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220/5. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 5. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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BTS432E2E3062A

BTS432E2E3062A

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/5. Gehä...
BTS432E2E3062A
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/5. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS432E2-SMD. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 300us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 80us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/5. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS432E2-SMD. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 300us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 80us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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BTS436L2GATMA1

BTS436L2GATMA1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/5. Gehä...
BTS436L2GATMA1
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/5. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 41V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 200us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/5. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 41V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 200us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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BTS50010-1TAE

BTS50010-1TAE

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/7. Gehä...
BTS50010-1TAE
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/7. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Herstellerkennzeichnung: S50010E. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 18V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/7. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Herstellerkennzeichnung: S50010E. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 18V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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BTS5210LAUMA1

BTS5210LAUMA1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: P-DSO-12. Konfig...
BTS5210LAUMA1
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: P-DSO-12. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 12:1. Herstellerkennzeichnung: BTS5210L. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 2.4A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 250us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
BTS5210LAUMA1
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: P-DSO-12. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 12:1. Herstellerkennzeichnung: BTS5210L. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 2.4A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 250us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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BTS5215LAUMA1

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: P-DSO-12. Konfig...
BTS5215LAUMA1
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: P-DSO-12. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 12:1. Herstellerkennzeichnung: BTS5215L. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 250us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: P-DSO-12. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 12:1. Herstellerkennzeichnung: BTS5215L. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 250us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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BTS611L1E

BTS611L1E

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/7. Ge...
BTS611L1E
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/7. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS611L1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 400us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 400us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/7. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS611L1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 400us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 400us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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BTS6142D

BTS6142D

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK/5. Gehäus...
BTS6142D
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK/5. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS6142D. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 38V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 7.5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 600us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 600us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
BTS6142D
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK/5. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS6142D. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 38V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 7.5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 600us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 600us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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BTS721L1

BTS721L1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: P-DSO-20. Konfig...
BTS721L1
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: P-DSO-20. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS721L1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 400us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 400us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
BTS721L1
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: P-DSO-20. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BTS721L1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 400us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 400us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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BTS740S2

BTS740S2

Funktion: „Intelligenter High-Side-Leistungsschalter“. Ausgang: 2db N-MOS 43V 5.5A. Anzahl der T...
BTS740S2
Funktion: „Intelligenter High-Side-Leistungsschalter“. Ausgang: 2db N-MOS 43V 5.5A. Anzahl der Terminals: 20. Einschaltwiderstand Rds On: 30 milliOhms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-DSO20. VCC: 5...34V
BTS740S2
Funktion: „Intelligenter High-Side-Leistungsschalter“. Ausgang: 2db N-MOS 43V 5.5A. Anzahl der Terminals: 20. Einschaltwiderstand Rds On: 30 milliOhms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-DSO20. VCC: 5...34V
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BU105-PHI

BU105-PHI

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 2.5A. Pd (Verlus...
BU105-PHI
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 2.5A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. CE-Diode: ja
BU105-PHI
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 2.5A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. CE-Diode: ja
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BU125-ST

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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L TV-HA. Kollektorstrom: 7A. Pd (Verl...
BU125-ST
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L TV-HA. Kollektorstrom: 7A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. VCBO: 130V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V
BU125-ST
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L TV-HA. Kollektorstrom: 7A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. VCBO: 130V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V
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BU1508DX

BU1508DX

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 7. Minimaler hFE-G...
BU1508DX
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 7. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 13.5V
BU1508DX
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 7. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 13.5V
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Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Koll...
BU189
Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN. VCBO: 330V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V
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Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN. VCBO: 330V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 12...
BU208D-ST
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V
BU208D-ST
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 12...
BU208D-TOS
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BU208D-TOS
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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BU212

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlust...
BU212
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V
BU212
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 45...
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustl...
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247FP. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247FP. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustl...
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: (F). Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustlei...
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: (F). Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Spec info: 33 Ohms
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: (F). Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Spec info: 33 Ohms
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 9A. Pd (Verlustl...
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 9A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247FP. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 9A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247FP. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VCE(sat) 5.0V. Kollektorstrom: 9A. Mont...
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VCE(sat) 5.0V. Kollektorstrom: 9A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF ( SOT399 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: Geeignet für die Stromversorgung von SONY-Fernsehern. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VCE(sat) 5.0V. Kollektorstrom: 9A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF ( SOT399 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Spec info: Geeignet für die Stromversorgung von SONY-Fernsehern. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 4...
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V
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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V
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