Transistoren

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L TV-HA. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 375V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L TV-HA. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L TV-SN. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Transistortyp: NPN. VCBO: 800V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 375V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA/Monitor. Kollektorstrom: 8A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA/Monitor. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA/Monitor. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA/Monitor. Maximaler hFE-Gewinn: 7.3. Minimaler hFE-Gewinn: 4.2. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 300 ns. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Rbe 25 Ohms

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV/Monitor. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 55W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Spec info: CTV-HA (isoliert). Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV/Monitor. Kollektorstrom: 16A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Gehäuse: SOT-430. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-430. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Spec info: CTV-HA

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 2.5A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 2.5A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA SMPS. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Spec info: TO-220AB. Hinweis: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMPS (F). Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Spec info: TO-220F (SOT186)

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-218. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-199. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BU508AF. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 700V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 34W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 34W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1

Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 1500V. Kollektorstrom: 8A. Leistung: 125W. Gehäuse: TO-247

Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 34W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ISOWATT-218. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BU508DFI. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 700V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 7 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-SN. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 62W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 480V. Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 330V/200V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 330V/ 200V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Darlington-Transistor, Hohe Spannung und schnelles Schalten. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FH. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Spec info: TO-220FH

BE-Widerstand: 42 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 230. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)