Transistoren

BE-Widerstand: 260 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 62W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: hFE 60...230, isoliertes Kunststoffgehäuse. Spec info: Fallzeit 0,8us. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BU941ZP. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 350V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 155W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Hinweis: >300. Menge pro Karton: 1

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Abfallzeit 625 ns. Maximaler hFE-Gewinn: 3400. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Kollektorstrom: 10A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Menge pro Karton: 1. Spec info: 360-450V Clamping

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Spec info: HV-POWER

Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): 60A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Hochspannungs-Multi-Epitaxie-Planar-Technologie“. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Schnell schaltender Hochspannungs-Leistungstransistor

Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Minimaler hFE-Gewinn: 7. Kollektorstrom: 14A. Ic(Impuls): 18A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218-ISO. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: hi-res, monitor 19. Spec info: Icmax--18A <5mS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Hochspannungs-Schnellschalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 22A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 210 ns. Tf(min): 110 ns. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218 ( SOT93 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Icm.22A <5ms

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR

Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: „Hochauflösend“. Maximaler hFE-Gewinn: 9. Minimaler hFE-Gewinn: 2.5. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 44W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Maximaler hFE-Gewinn: 6. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Tf (Typ): 190 ns. Gehäuse: ISOWATT218. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 10V. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 57W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Hinweis: MONITOR. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ts 2.1/3.1us

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 13.5A. IDSS (max): 13.5A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. Technologie: V-MOS. Spannung Vds(max): 50V. Menge pro Karton: 1

C(in): 750pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 20uA. IDss (min): 2uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.1 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2230pF. Kosten): 510pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 62 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 347A. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (Verlustleistung, max): 166W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 84 ns. Td(on): 18 ns. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-404. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1200pF. Kosten): 290pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 217A. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 54A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (Verlustleistung, max): 118W. Einschaltwiderstand Rds On: 17m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 70 ns. Td(on): 15 ns. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-404. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 440pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 81A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 0.05uA. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-78 ( TO220AB ). Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Einschaltwiderstand Rds On: 0.064 Ohms. Funktion: Automotive, Leistungsschaltung, 12-V- und 24-V-Motor. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 32. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Tf (Typ): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochspannung, schnell schaltend. Spec info: TO-220. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 6A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 9V. Funktion: Hochspannungsschnellschaltung, zum Schalten von Netzteilen. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 150us. Tf(min): 80us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten für Schaltnetzteile

Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 13.5. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMPS S-L. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 800V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung

Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Kommutierung für Schaltnetzteil. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 50 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.13V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMPS S-L. Kollektorstrom: 7A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung

Kosten): 50pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 12 MHz. Funktion: SMPS S-L. Maximaler hFE-Gewinn: 34. Minimaler hFE-Gewinn: 14. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220AB CASE 221A-09. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 9V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS