Transistoren

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 13. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 25A. Hinweis: Isolationsspannung 2500V. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Funktion: Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeitsschaltung. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit)

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 25A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.22us. Tf(min): 0.16us. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR. Funktion: TV-HA, hi-res (F)

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 25A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silizium-Leistungstransistor. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA Hi-re. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Spec info: (F)

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA Hi-re. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1

Kosten): 145pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA Hi-re. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.35us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P(H)IS. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA hi-re. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Gehäuse: SOT-199. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Spec info: SOT199 (F)

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA hi-re. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Spec info: SOT399 (F)

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA hi-re (F). Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA hi-re (F). Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 16A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Spec info: 1.4...1.8us

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 825V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ts 4.8us, Tf 0.4us

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 825V. Menge pro Karton: 1. Spec info: 4.8us

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 825V. Hinweis: MONITOR. Menge pro Karton: 1. Spec info: 7.4us

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungstransistor. Kollektorstrom: 12A. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1700V. Hinweis: MONITOR 16KHz. Menge pro Karton: 1. Spec info: Rbe 70 Ohms, SOT199 (TO-247F)

Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: MONITOR 16KHz. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 30A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.14us. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Transistortyp: NPN. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1700V. Vebo: 7.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 12A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 825V. Hinweis: MONITOR. Menge pro Karton: 1. Spec info: 2.5us

Funktion: VHR758 EV. Menge pro Karton: 1. CE-Diode: ja

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V/100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 25W

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 280V/150V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 25W

Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 600V. Kollektorstrom: 10A. Leistung: 175W. Max Frequenz: 10MHz. Gehäuse: TO-3

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 6 MHz. Funktion: TV-HA. Maximaler hFE-Gewinn: 20. Minimaler hFE-Gewinn: 12:1. Kollektorstrom: 7A. Ic(Impuls): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: TO-220. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN. VCBO: 400V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 200V. Leistung: 60W. Max Frequenz: 10MHz

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 175V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W