Transistoren

Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 175W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3PN. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUX48A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 175W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8 MHz. Funktion: S. Kollektorstrom: 2A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. VCBO: 450V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUX85G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Widerstand B: Leistungstransistor. BE-Diode: NPN. C(in): 1000V. Kosten): 0.5A. CE-Diode: 40W. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-82. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUX87P. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 42W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 25 MHz. Funktion: S-L. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 2A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. VCBO: 2200V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN. VCBO: 280V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Menge pro Karton: 1

C(in): 1220pF. Kosten): 410pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. IDSS (max): 52A. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.018 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS, PowerMosfet. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): P-TO263-3-2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Menge pro Karton: 1

C(in): 1500pF. Kosten): 750pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.03 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 180 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 50V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 42A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms. Technologie: V-MOS. Spannung Vds(max): 50V. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 39A. IDSS (max): 39A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 40m Ohms. Technologie: V-MOS S/L. Spannung Vds(max): 50V. Hinweis: 250/500ns. Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUZ22. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 300 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1850pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=25°C): 2.6A. IDSS (max): 2.6A. Pd (Verlustleistung, max): 78W. Technologie: V-MOS L. Spannung Vds(max): 1000V. Menge pro Karton: 1

C(in): 330pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUZ73LH. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 840pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 2.4A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Technologie: V-MOS. Spannung Vds(max): 500V. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 3A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.8 Ohms. Technologie: V-MOS. Spannung Vds(max): 400V. Hinweis: <57/115ns. Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUZ76A. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 650pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: <50/105ns. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.7A. IDSS (max): 2.7A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Menge pro Karton: 1

C(in): 460pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 350 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Td(off): 50 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. IDSS (max): 2.1A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Technologie: V-MOS (F). Spannung Vds(max): 800V. Hinweis: <100/220ns. Menge pro Karton: 1