Transistoren

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7313. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 650pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7313. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 650pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7314. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.058 Ohms @ -2.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 63 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 780pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: IDM--30Ap

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7316. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 19 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 710pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 780pF. Kosten): 430pF. Kanaltyp: N-P. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Funktion: 0.029R & 0.58R. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7317. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A / -5.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 6/-2.9A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12/22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 57/63 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 900/780pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F7319. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Hinweis: ( = P23AF 4532 SMD ). Hinweis: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms

Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 6.4A. ID (T=25°C): 8A. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.017 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Transistortyp: PNP & PNP. Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 2. Funktion: Dualer P-Kanal-Mosfet-Transistor, Extrem niedriger RDS-Einschaltwiderstand

Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Konditionierungseinheit: 95. Funktion: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns

Kanaltyp: P. Äquivalente: IRF7342PBF. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: IDM--27Ap

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7342. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 690pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7342. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 690pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7343. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12/22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 48/64 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 740/690pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7343. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12/22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 48/64 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 740/690pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7389. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A/-4.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 5.8/-4.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.1 ns/13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 26/34 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 650/710pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1400pF. Kosten): 330pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 370 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnell schaltender Leistungs-MOSFET-Transistor. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 400V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF740LC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1100pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF740PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 10A. Leistung: 125W. Gehäuse: TO-220. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Drain-Source-Spannung (Vds): 400V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF740SPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1600pF. Kosten): 680pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 74 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 58A. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 12uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 52 ns. Td(on): 8.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7413. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C