Transistoren

C(in): 1018pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 422 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF840ASPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 26 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1018pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Herstellerkennzeichnung: IRF840PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 8A. Leistung: 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Drain-Source-Spannung (Vds): 500V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF840SPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 760pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 12 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 88A. ID (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRF8707G. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 7.3 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 4.5V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F8736. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.35V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 13 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2315pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F8788. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.35V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5720pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1200pF. Kosten): 570pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 270ms. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS: 25uA. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 50M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204AA ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: HEXFET. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Laptop-Schaltkreise. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.039 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 65 ns. Td(on): 25 ns. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.3V. Menge pro Karton: 1. Technologie: HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9510PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 43W. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1

C(in): 390pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 98 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 6.8A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.8A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9520. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F9520. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9520PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 390pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 860pF. Kosten): 340pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 88W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 760pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

Gehäuse: TO-220AB. Herstellerkennzeichnung: IRF9530. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -14A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -8.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 760pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 79W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: P. Maximaler Drainstrom: 14A. Leistung: 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Drain-Source-Spannung (Vds): -100V

C(in): 1400pF. Kosten): 590pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 34 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1300pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 51 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: P. Maximaler Drainstrom: 23A. Leistung: 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.117 Ohms. Drain-Source-Spannung (Vds): -100V. Gehäuse: TO-220AB <.45/32nsec

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9540. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 140W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 170pF. Kosten): 50pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 7A. ID (T=100°C): 1A. ID (T=25°C): 1.8A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9610PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 170pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 350pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS