Transistoren

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9620PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -1.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 3A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Menge pro Karton: 1

C(in): 700pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: P. Maximaler Drainstrom: 6.5A. Leistung: 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -200V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF9630PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ -3.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 74W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1200pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Leistung: 125W. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Gehäuse: TO-220AB. Herstellerkennzeichnung: IRF9640PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: P. Maximaler Drainstrom: 11A. Leistung: 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.5 Ohms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Drain-Source-Spannung (Vds): -200V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F9640S. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F9952. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 26/40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 190/190pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F9952Q. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 26/40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 190/190pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F9953. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 190pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 620pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 54ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Gehäuse: TO-220AB. Herstellerkennzeichnung: IRF9Z34NPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 620pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 68W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: P. Maximaler Drainstrom: 17A. Leistung: 56W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Drain-Source-Spannung (Vds): -55V

C(in): 620pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 54ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F9Z34NS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 620pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 68W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 1423pF. Kosten): 208pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 510 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.52 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 52 nC. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2830pF. Kosten): 3310pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 520 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 50uA. Pd (Verlustleistung, max): 220W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2870pF. Kosten): 3480pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 520 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 50uA. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.21 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1200pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. Id(imp): 92A. ID (T=100°C): 17A. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B23N15D. Pd (Verlustleistung, max): 136W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 18 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4220pF. Kosten): 580pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB260N. Pd (Verlustleistung, max): 380W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 52 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: SMPS, Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 8970pF. Kosten): 1020pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 44 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 1080A. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 375W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0021 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 9400pF. Kosten): 820pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 850A. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 370W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0028 Ohm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 69 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 75V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 6540pF. Kosten): 720pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 840A. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 6920pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 36ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 670A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 75V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS